1. 實驗半導硅和砷化鎵材質的尖晶石異常現象。
企業用SEM的重新智能電子元器件象(SE)分析了催化的蝕化凸顯的光電器件行業單單從外的表面的單硫化鋅一些弊病形貌。用類似這些的方式可分析光電器件行業食材中單硫化鋅一些弊病承載力應變速率場的款式和面積、一些弊病的邁入、單單從外的表面層內的孔隙率、單一個一些弊病的顯微結構、一些弊病間的比趨向還有能夠 角色的征象等等等等。FESEM可總結出光電器件行業單單從外的表面單硫化鋅一些弊病的高判斷形貌象，為下列分析出具方便簡潔，這類沉渣綴飾的位錯和堆垛層錯成核中心站的呈現是CSEM不宜作到的。照片集兒1是直拉硅單晶硅（100）表上面催化的蝕化凸顯的位錯和硫化層錯的重新智能電子元器件形貌象，在當中一斜位錯看到層錯使層錯的承載力場款式因為后果。照片集兒2是摻Te砷化鎵（111）晶表上面的位錯，位錯線上數據和微一些弊病。可以著到六角形位錯線上數據的款式因為四周圍位錯承載力應變速率場的后果還有微一些弊病和位錯線上數據能夠 角色的劃痕（在取決于位錯線上數據地域微一些弊病的淺坑消除）。
我還利于光電器件行業肖脫基勢壘的EBIC象闡述光電器件行業的原生態瑕疵，用PN結（或肖脫基結）的EBIC象闡述因擴散作用引進的再次瑕疵。在這種工藝對研究方案硫化鋅瑕疵的電生物有好重要的必要性。圖片視頻3是硅單尖晶石單單從表面肖脫基勢壘的ERIC象，說明書怎么寫硅硫化鋅中氧濾渣物的匯聚。
2. 用FESEM考驗拋光硅漆層的沾污
移動寬帶隙的脫色的物和無定形碳物極具較高的三次光電產額（因它是的三次光電大概自在程大）。我們公司用δm象征zui大的三次光電產額δmSiO2=2.1-4，δmMgO=15-20而δmS1有1.1，可以說半導物料和脫色的物物料的三次光電產額可差20倍。只能根據δm的反差，并使用FESEM的舒張壓本職工作機制（加快輸出功率≤1千伏），更好地闡釋了硅片外壁（經磨光和干凈的治理 后的外壁）的氧、碳沾污。相片4中見到的是用香蕉水棉擦過的硅片外壁上農藥殘留的不細則多邊形，它是呈亮襯度，解釋此類區城的三次光電產額比襯底Si高，俄歇外壁概述揭示此類亮區是脫色的物薄層。
3. 在科研半導體設備皮秒激光器中的操作
半導體技術設備智能機械器器的生產新工藝流程一樣都要用液質本質的做法來植物的生長雙層異質節構，一樣有源層的寬度都較小。在異質結智能機械器器的生產新工藝流程中，主要的故障是因此摻入錯誤和不溶物沾污使電子元件失掉了異質結電子元件的特征。他們利用率雙異質結智能機械器器剖面的多次電子形貌象和EBIC消息重重疊疊信息的具體方法，模糊地揭露了PN結在雙層本質節構中的地段（圖片視頻5中EBIC線地域分布的基線地段），明確指出PN結距有源層偏位的距。整個運行的核心是明確檢驗有源層的地段及寬度，對薄有源層智能機械器器，有源層寬度有0.1--0.3微米換算，因此組合異質結的四種半導體技術設備食材的多次電子產額差并面積不大，給檢側帶來了需的很難。顯然用PESEM選購應適當的加快和提升輸出功率，在零偏壓下也會得到清新的雙層節構形貌象，對論述異質結智能機械器器PN結偏位的向題萬分有好處（圖片視頻6）。
4. 在學習智能家居控制電路系統中的軟件
1）網上束、X放射線大大曝光技術藝是營造現在半導體技術融合電路系統的品質可靠藝，能大大增長了融合度和的成品率。我們的用HPS-50B型FESEM在找不到單單從表明層噴砂工藝合金金屬膜的份情形下（單單從表明層噴砂工藝或許會使單單從表明層形貌模糊），之間檢測用網上束大大曝光A刻蝕的二氧化物硅、氮化硅的亞納米光柵，檢驗石材中間距、刻蝕 shen 度及邊沿層面。這格外極為有利的于對網上束和熱皮膚敏感的光刻膠刻蝕圖像的之間觀測（照片圖片7）。
2）我的再生利用FESEM的滿識別率和低電池充電邊際效應，間接檢側三極管中腐蝕層的質量、多晶硅表面上的粒級、光刻加工中的局布異常現象、黑色金屬連線的隊道形異常現象等。再者，我的還能用的 EBIC模試判別集成化三極管中每個PN結的職位及PN結周圍的多晶體異常現象。
3）線交流額定電阻值襯度是試件材料的外外外面電極電勢差差生長對重新網絡發和加測的幅度調制效果。試件材料加1~10伏的正電極電勢差差存在負襯度（暗襯度），試件材料加負電極電勢差差存在正襯度（亮襯度）。對一PN結加反偏壓時，P區是負電極電勢差差，線交流額定電阻值襯度為亮區，N區為正電極電勢差差，線交流額定電阻值襯度為暗區，這些是用SEM顯現PN結的本身方法步驟。SEM的線交流額定電阻值襯度效果經常用于具體具體分析作業環境下的融合化電源線路，監測融合化電源線路發揮不了作用的情況。FESEM在低t迅速線交流額定電阻值下的線交流額定電阻值襯度象可闡述外外外面層中電極電勢差差生長，而在較高t迅速線交流額定電阻值下的線交流額定電阻值襯度象可闡述襯底與外外外面層之中的電極電勢差差生長，另外在1KVt迅速線交流額定電阻值下可加測0.1伏偏壓下的線交流額定電阻值襯度本質區別。這效果對多層電路板設計板鋪線融合化電源線路的具體具體分析很要用，這也是FESEMapp于科研半導體材料融合化電源線路的特殊化效果。
4）藍紅晶石（或尖晶石）絕耐壓襯底上概念性硅多晶硅是生產制造高速的度、高耐輻照性能參數的半導體芯片分立式化電路板的至關重要工藝流程。原因襯底是保持良好的耐壓原材料，在硅多晶硅概念性生長的原始分階段，硅多晶硅海島剛剛有連為分立式時，概念性層的電阻值率相等于高，網絡束快速充電因素也相等于較為嚴重的。為達到高水平量的SEM多次網絡形貌象往往會需在外表上噴涂料料一導電膜，但這會使概念性層外表居然的形貌會發生失真。咱們用FESEM在外表不噴涂料料的情況下拍攝視頻了藍紅晶石上概念性硅多晶硅原始生長心態的多次網絡形貌象（如相冊圖片9一樣），若對有所不同生長的時間的外廷層作類別觀擦，便可深入分析藍紅晶石上硅概念性生長的成核階段。
- 以上的列舉是很有限制的的，不斷地一些附近的技藝應該用，一定會進這一步充分發揮FESEM的性并發展其在半導體設備技藝教育領域中的技藝應該用標準。
