在LED中，GaN通常以異質結構形式生長，具有許多In xGa1-xN量子(zi)阱（QWs）。它們在(zai)電磁波(bo)頻譜的可見(jian)光(guang)部分高(gao)效發光(guang)，而(er)非在(zai)本征（GaN）帶隙能 量3.4 eV（365 nm）處產生(sheng)。可以(yi)通過增(zeng)加其有源區體(ti)積，來提高(gao)增(zeng)益(yi)和(he)光(guang)學限制因 子(zi)，而(er)重要的是，還(huan)能夠調(diao)節其發射的顏色（波(bo)長）。
金屬電極出現發亮（CL）新工藝是GaN LED新工藝制作中種高速 且高涉及的測量法律手段。較高能光學技術技術束能否合理地ji發氮化物半導體材料（還是AlN）的移動寬帶隙，并各分為為在掃苗光學技術技術體視體視顯微鏡（SEM）和散發出光學技術技術體視體視顯微鏡（TEM）中的CL測驗，具備萬代高達10 nm和1 nm的面積糞便率。要能簡單可視化分析位錯等非電磁輻射缺點的占比，并確實點缺點的共同點。不僅，還可確實應力應變、夾雜、滋生角度和載流子濃硫酸濃度的面積改變并且疊層的各種不同因素（舉個例子，AlN，GaN，量子阱）。 于此，還能能采用斜度區分或光的波長-斜度區分模試來觀查元元件的導彈模試。斜度區分CL模試的采用能能對光譜分析做出簡略分析方法，之所以等模試為閃光元元件的分析方法提供數據了一舉關鍵性指數。實驗簡報：納米(mi)陰(yin)極(ji)發光可實現更高(gao)效率的(de)發光二極(ji)管(guan)設(she)計（鏈接到：文章4（單頁PDF：一篇TEM中CL應用））
應用說明：陰極發(fa)光技術在μLED工藝檢測，計(ji)量和失效(xiao)分析的應用
（外部鏈接到：泰語翻譯原創文章3）LED結構的3D計量
CL在提高了中用調查半導體技術建筑文件的高豎向空間糞便率的時，還會在深 度方向前解密在在測量。采用明確的SEM提高電阻來明確行成CL手機信號的外表面深 度，而使會對埋入在團狀內的建筑文件層采取探討。于此，它限制借助深 度糞便CL光譜儀調查其三維圖架構，會對低級光電散射和載流子漂移/發展的模似采取比效。各種深 度糞便在在測量會能夠得到： • 全精加工的設備中位錯與基鋪裝錯的深 度及橫著數據分布區 • 不同于主成的亞邊部的尺寸測量，具有對多量子阱堆棧中單獨的量子阱的定量分析 • 電子元件框架內既定界面顯示處的點瑕疵方位（軸徑辨認率約為1 nm）失效分析
大部分照明系統應運和客車燈中通常運用黃色和橙色LED，而鳥卵的運用雖然也滲 透達到是指工業企業區域在其中的非常多的主要用途是什么中。在一些區域中，LED元器件封裝會遭受到諸這樣的類機戒振動模式等的ji端區域、過高/過低的高溫絕對濕度和耐腐蝕類物質的直接影響。國人越變越感覺到，在一些經濟條件下，LED集成塊身會影響模組報警，并非其周圍器件。LED應運運用范圍這樣的多方面，檢測室的測試方法小程序不了被拷貝具體情況應運中常有效果例。由于，有有需要運用還可以在宏觀經濟及微觀粒子大小上觀擦LED的結構特征，定性剖析其電磁學的結構特征和基本功能性質的剖析科技。原文鏈接：//whatiscl.info/applications/semiconductors/device-characterization/light-emitting-diodes
參考文獻
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