亮光整流二極管（LED）都是種有吸引著力的代用展示技木。LED的高反射率和低效率極可能對本質和移動手機系統展示器中實用的主要技木參與比較重要整改。要包括展示器的全色域，LED甄別率涉及順序排列成陣列的紫色、海藍和墨綠色的獨立LED。所以，展示器的甄別率是源于于獨立LED的深淺和安全距離。要加快甄別率，行減慢反射器的尺寸，但其輔射硬度也因而變低。要使較小的日常LED到達很大的輔射硬度，因此應該更好的手機輸入效率，而這又會引起更好的散熱標準。
六角形核殼柱
想要改善行達到在使用普通平米射器的問題，探討人工現已要想像力駐車制動二維microLED（μLED）。其實的射體的顯然好處是面上積提升，此其中進一歩提升的維數，同意在射體的正面生成量子阱。提升的特點還帶來了來到哪幾個晶面的渠道。假如是GaN，它含有m平米，該m平米兼備最 小的本征電磁場，行減小量子束縛斯塔克定律（QCSE）的的影響，為了提生受激載流子的混合熱效率。
成分變化和缺陷
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發射光譜的(de)空間變化
GaN/InGaN核殼柱是典型的三維發射體。從這樣的柱狀物上觀察陰極發光（CL）可以提取其根據位置變化的光譜信息。可將光譜信息中感興趣的明顯波段（例如GaN，InGaN和點缺陷帶）在空間上對應顯示。此外，在此分析示例中，InGaN量子阱有源層的成分Mapping顯示，In的分數介于19％至26％之間并集中在頂點。Gatan Microscopy Suite® 中的光譜擬合工具可用于估算成分Mapping，并確定InGaN帶隙與位置的關系。通過NLLS擬合確定能帶隙，可以估算In的濃度：x，并通過觀察InxGa1-xN關于x的理論能帶隙，確定材料成分。到目前為止，我們掌握了有關CL光譜的發射信息，但是沒有關于發射角度的信息，而這類形狀的樣品的發射是各向異性的。為了觀察這種各向異性，可以使用角度分辨CL模式。
角度分辨陰極發光
當光從拋物面鏡焦 點處的原材料傳出時，它會沿光平面光漫反射鏡的中心線向外光光漫反射。在數學試卷上，拋物面的樣子是1對1的。所以，光在準直鏡上的光光漫反射所在位置對于那些原材料傳出的多視場角也是wei一的。所以，對拋物面回收利用鏡的背板確定成相，需要了獲利多視場角衛星發射信息。利用如圖所示的映射的樣子，需要將的數據轉化成為極座標表述，是為了釋疑說。
發射選擇性和形狀效應
對待單體的陣列外的microLED柱，的視角分辯CL（ARCL）展示其在70?方往上走的放射標準比集成化在正個柱子上的法線方往上走的強約2.4倍。如國人所料，放射朝向發生在于ji發部位。實際情況上，與被ji發柱的側邊反過來的方往上走，放射標準最 高，與此同時收錄干擾紋路。標準的朝向性的造成緣故可能是受真空系統下LED柱漆層的折射率對比分析帶來的全內折射的印象，而干擾紋路是由原輔料漆層的折射伴發。
microLED六角柱陣列
MicroLED最易見的排順形式是陣列成分。在種事情下，陣列成分為五邊形，柱寬（邊到邊）約為800 nm，定期（近些年鄰）約為2μm。種選用GaN的陣列重置了激光影向光學材料能力的成功率性。故此，在如此的陣列中留意她們以決定對熒光的影向不是常根本的。
有效成分變化和缺陷
使用與先前觀察陣 列外顯示柱相同的數據進行采集，觀察陣列內的單個柱子。同樣，我們在該光譜圖像中觀察到每個掃描點的光譜，這可以對GaN，InGaN和點缺陷帶的發射帶進行Mapping，以及通過柱表面上的位置估算In的含量。這里我們可以估計InxGa1-xN中的(de)In含量在11％至19％之間(jian)。
在對陣列內和陣列外的microLED柱使用相當時，還需要探究到一點趣味的跡象。猶如大家渴求的那么，在陣列外電子元件中，總的承載力產自邊沿，因量子阱被間接ji發。而相對于陣列內電子元件，光強在全外表上的布置更均衡。多種方位光譜分析的探究進步驟證明了陣列內電子元件的綜合承載力的增加，十分是在有著眾多較小濤的500–600 nm區間內。GaN，InGaN和點疵點帶的打印色帶圖相有的還需要進步驟解除這樣有差異 。在那些圖相中，陣列會影響力每一ji發方位點會產生多種的使用圖。
萬一清楚了陣列對光有的干擾，便可按照其光的主波長思考射的各向女性朋友，以確保microLED在提示系統什么情況下準許。因而，.我使用了（WARCL）技巧，該技巧以及光的主波長圖片圖片信息和斜度圖片圖片信息。任何技巧闡釋了射的擇優方法，并可觀察植物光波帶隙。
中間是五種各種不同激發光譜下的WARCL的對比圖。陣列外和陣列內LED均在重直于柱子的方上移產生偏弱的光。但陣列中的元器件仍長期存在二十五分可笑關注公眾號的特性，表現了WARCL技術工藝對microLED陣列的研究的配用性。
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