儀(yi)器名稱：全自動離子濺射儀(yi) 型號：ETD-800
原理：二(er)極直流濺射
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儀器(qi)名稱：離子濺射儀 型號：ETD-900M
原理：磁控濺射
在磁(ci)控濺射(she)中，由于運動電子在磁(ci)場中受到洛侖茲力，它們的(de)運動軌跡會發生彎曲(qu)甚至產
生螺旋(xuan)運(yun)動，其運(yun)動路徑變(bian)長，因而(er)(er)(er)增加了與工作(zuo)氣體(ti)分子碰撞的(de)次數，使等(deng)離子體(ti)密度增 加，從而(er)(er)(er)磁控濺(jian)射速(su)率得到(dao)很大的(de)提高(gao)，而(er)(er)(er)且可(ke)以在(zai)較(jiao)低(di)的(de)濺(jian)射電壓和氣壓下工作(zuo)。同時(shi)，經過多次碰撞而(er)(er)(er)喪失能(neng) 量的(de)電子到(dao)達陽極時(shi)，已變(bian)成(cheng)低(di)能(neng)電子，從而(er)(er)(er)不會使基(ji)片過熱。
ETD-800參數(shu)：
;主機規格：260mm×307mm×260mm（W×D×H）
電源規格：220V/50HZ
靶(ba)（上部(bu)電(dian)極）：50mm×0.1mm（D×H）
靶材：Au
真空樣品室： 硼(peng)硅酸鹽玻璃 115mm×100mm（D×H）
定(ding)時(shi)器： zui 長時(shi)間：3600S
機械泵(beng)： 1L/S
zui 高電壓(ya)：-1200 DCV
ETD-900M參(can)數：
主機規格：300mm×360mm×380mm（W×D×H）
靶（上部電極）：50mm×0.1mm（D×H）
靶材(cai)：Au（標配）
樣品室：硼(peng)硅(gui)酸鹽玻璃(li) 160mm×120mm（D×H）
靶材尺寸：Ф 50mm
真(zhen)空(kong)(kong)指示表： zui 高真(zhen)空(kong)(kong)度(du)：≤ 4X10-2 mbar
離(li)子電流表： zui 大電流：50mA
定(ding)時器：zui 長時間：0-360S ?
微型真空氣(qi)閥：可連接φ 3mm 軟(ruan)管(guan)
可通入氣體(ti)： 多種
zui 高電壓： -1600 DCV ?
機械泵：標準配(pei)置 2L/S（國產(chan) VRD-8）
特點(dian)與(yu)用途：
ETD-800用途：
適用于(yu)電(dian)鏡實驗室(shi)的(de)掃描電(dian)子顯(xian)微鏡（SEM）樣品制備。
特點：
可以通過更(geng)換不同(tong)的靶材（金、鉑、銀等(deng)），以達到細顆粒的涂(tu)層。
一鍵式(shi)操(cao)作，使用(yong)方便。
ETD-900M用(yong)途：
適(shi)用(yong)于電(dian)(dian)鏡實(shi)驗室的(de)掃描電(dian)(dian)子(zi)顯微(wei)鏡（SEM）樣(yang)品(pin)制(zhi)備，非導體材料實(shi)驗電(dian)(dian)極制(zhi)作(zuo)。
特點：
1、簡單、經濟(ji)、可靠、外觀精(jing)美(mei)。
2、可(ke)調節(jie)濺射電(dian)流和真空室(shi)壓強以控(kong)制(zhi)鍍膜的速(su)率(lv)和顆粒(li)的大小。
3、SETPLASMA 手動啟動按(an)鈕可預先設置好壓強和濺(jian)射電流(liu)避免對膜造成不必要的(de) 損 傷(shang)。
4、真(zhen)空保護可避免真(zhen)空過低造成設(she)備(bei)短路。
5、同時(shi)可(ke)以通過更換不同的靶材（金、鉑(bo)、銥、銀、銅等(deng)），以達到更細顆粒的涂層。
6、通(tong)過通(tong)入不同的惰(duo)性(xing)氣體以(yi)達(da)到更純凈的涂層。
